Isolato a 4 pollici Gan Wafer del grado 0.4mm di ricerca per i semiconduttori

Informazioni di base
Luogo di origine: La Cina
Marca: zmkj
Numero di modello: grado di ricerca 2inch
Quantità di ordine minimo: 2pcs
Prezzo: 1000~2500usd/pc
Imballaggi particolari: singola cassa del wafer dall'imballaggio sotto vuoto
Tempi di consegna: 1-5weeks
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 50pcs al mese
Materiale: Monocristallo di GaN dimensione: 2inch
spessore: 0.35~0.5mm tipo: Si tipo/undoped, Fe-verniciato,
Applicazione: Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere Crescita: HVPE
superficie: SSP o DSP Orientamento: 0001
pacchetto: singolo contenitore del wafer
Evidenziare:

Wafer gan di isolato

,

wafer gan di 0.4mm

,

semiconduttori gan sulla lastra di silicio

 

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GaN Wafer Characteristic

  1. III-nitruro (GaN, AlN, locanda)

Il nitruro di gallio è un genere di semiconduttori composti di ampio-Gap. Il substrato del nitruro di gallio (GaN) è

un substrato monocristallino di alta qualità. È fatto con il metodo originale di HVPE e la tecnologia della trasformazione del wafer, che originalmente è stata sviluppata per 10+years in Cina. Le caratteristiche sono l'alta uniformità cristallina e buona e qualità di superficie superiore. I substrati di GaN sono usati per molti generi di domande, di LED bianco ed il LD (viola, blu e verde) ancora, lo sviluppo ha progredito per potere e le applicazioni ad alta frequenza dell'apparecchio elettronico.

 

La larghezza di banda severa (luminescente ed assorbimento) riguarda la luce e l'infrarosso ultravioletti e visibili.

 

Applicazioni

GaN può essere utilizzato in molte aree quali l'esposizione di LED, la rilevazione ad alta energia e la rappresentazione,
Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.

 

  • Dispositivi ad alta frequenza rilevazione ad alta energia di a microonde ed immaginare
  • Nuova rilevazione dell'ambiente di tecnologia dell'idrogeno di solor di energia e medicina biologica
  • Banda del terahertz di sorgente luminosa
  • Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.       Stoccaggio della data
  • Illuminazione di ottimo rendimento                                        Esposizione di fla di colore pieno
  • Laser Projecttions                                                 Apparecchi elettronici alti- di efficienza

 

GaN Substrates Specification indipendente a 2 pollici

Isolato a 4 pollici Gan Wafer del grado 0.4mm di ricerca per i semiconduttori 0

La nostra visione di impresa di Factroy
forniremo il substrato di GaN di alta qualità e la tecnologia dell'applicazione per l'industria la nostra fabbrica.
L'alta qualità GaNmaterial è il fattore di repressione per l'applicazione dei III-nitruri, per esempio lunga vita
ed alta stabilità LDs, alto potere ed alti dispositivi di a microonde di affidabilità, alta luminosità
ed alta efficienza, LED economizzatore d'energia.
Dettaglio di consegna

Isolato a 4 pollici Gan Wafer del grado 0.4mm di ricerca per i semiconduttori 1

Isolato a 4 pollici Gan Wafer del grado 0.4mm di ricerca per i semiconduttori 2
- FAQ –
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(2) se avete vostro proprio numero preciso, è grande.
Se non, potremmo assistervi per consegnare. Freight=USD25.0 (il primo peso) + USD12.0/kg

Q: Che cosa è il termine di consegna?
(1) per i prodotti standard quale il wafer di 2inch 0.35mm.
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 4 settimane lavorative dopo ordine.

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(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-10pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche.

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