 |
industriale del modello del chip di isolato del wafer HVPE del nitruro di gallio di 5x5/10x10 millimetro
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | zmkj |
| Numero di modello: | GaN-FS-C-U-C50-SSP |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 10pcs |
|---|---|
| Prezzo: | 1200~2500usd/pc |
| Imballaggi particolari: | singola cassa del wafer dall'imballaggio sotto vuoto |
| Tempi di consegna: | 1-5weeks |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 50pcs al mese |
|
Informazioni dettagliate |
|||
| Materiale: | Monocristallo di GaN | Dimensioni: | 10x10/5x5/20x20mmt |
|---|---|---|---|
| Spessore: | 0.35mm | Tipo: | N tipo |
| Applicazione: | dispositivo a semiconduttore | ||
| Evidenziare: | wafer gan,wafer del fosfuro del gallio |
||
Descrizione di prodotto
modello dei substrati di 2inch GaN, wafer per LeD, wafer semiconduttore per il ld, modello di GaN, wafer di mocvd GaN, substrati indipendenti dalla dimensione su misura, wafer di piccola dimensione per il LED, wafer 10x10mm, 5x5mm, wafer di 10x5mm GaN, substrati indipendenti non polari di GaN del nitruro di gallio di GaN di GaN del nitruro di gallio di mocvd di GaN (un-aereo e m.-aereo)
Caratteristica del wafer di GaN
| Prodotto | Substrati del nitruro di gallio (GaN) | ||||||||||||||
| Descrizione di prodotto: |
Il modello di Saphhire GaN è presentato il metodo di (HVPE) di epitassia di fase di vapore dell'idruro di Epitxial. Nel processo di HVPE, l'acido ha prodotto dalla reazione GaCl, che a sua volta è reagita con ammoniaca alla colata del nitruro di gallio dei prodotti. Il modello epitassiale di GaN è un modo redditizio sostituire il substrato del monocristallo del nitruro di gallio. |
||||||||||||||
| Parametri tecnici: |
|
||||||||||||||
| Specifiche: |
Film epitassiale di GaN (aereo) di C, N tipo, 2" * 30 micron, zaffiro; Film epitassiale di GaN (aereo) di C, N tipo, 2" * 5 micron di zaffiro; Film epitassiale di GaN (aereo) della R, N tipo, 2" * 5 micron di zaffiro; Film epitassiale di GaN (aereo) di m., N tipo, 2" * 5 micron di zaffiro. Film di GaN + di AL2O3 (si verniciato N tipo); Film di GaN + di AL2O3 (mg verniciato P tipo) Nota: secondo l'orientamento e la dimensione speciali della spina della domanda di cliente. |
||||||||||||||
| Imballaggio di norma: | borsa pulita 1000 stanza pulita, 100 o singolo imballaggio della scatola |
Applicazione
GaN può essere utilizzato in molte aree quali l'esposizione di LED, la rilevazione ad alta energia e la rappresentazione,
Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.
- Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.
- Stoccaggio della data
- Illuminazione di ottimo rendimento
- Esposizione di fla di colore pieno
- Laser Projecttions
- Apparecchi elettronici alti- di efficienza
- Dispositivi ad alta frequenza di a microonde
- La rilevazione ad alta energia ed immagina
- Nuova tecnologia dell'idrogeno di solor di energia
- Rilevazione dell'ambiente e medicina biologica
- Banda del terahertz di sorgente luminosa
Specifiche:
| Substrati indipendenti non polari di GaN (un-aereo e m.-aereo) | ||
| Oggetto | GaN-FS-un | GaN-FS-m. |
| Dimensioni | 5.0mm×5.5mm | |
| 5.0mm×10.0mm | ||
| 5.0mm×20.0mm | ||
| Dimensione su misura | ||
| Spessore | 350 µm del ± 25 | |
| Orientamento | ± 1° dell'un-aereo | ± 1° dell'm.-aereo |
| TTV | µm ≤15 | |
| ARCO | µm ≤20 | |
| Tipo di conduzione | N tipo | |
| Resistività (300K) | < 0=""> | |
| Densità di dislocazione | Di meno che 5x106 cm-2 | |
| Area utilizzabile | > 90% | |
| Polacco | Superficie anteriore: Ra < 0=""> | |
| Superficie posteriore: Terra fine | ||
| Pacchetto | Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in singoli contenitori del wafer, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto. | |