Wafer Undoped Si-verniciato 2INCH del nitruro di gallio per il dispositivo del laser

Informazioni di base
Luogo di origine: La Cina
Marca: zmkj
Numero di modello: GaN-FS-SIN-D-C50-SSP 2inch
Quantità di ordine minimo: 1PCS
Prezzo: 1000~2500usd/pc
Imballaggi particolari: singola cassa del wafer dall'imballaggio sotto vuoto
Tempi di consegna: 1-5weeks
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 50pcs al mese
Materiale: Monocristallo di GaN Dimensione: 2inch
Spessore: 0.35mm Tipo: N tipo/undoped, verniciato,
Applicazione: Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere Crescita: HVPE

 

 

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GaN Wafer Characteristic

  1. III-nitruro (GaN, AlN, locanda)

Il nitruro di gallio è un genere di semiconduttori composti di ampio-Gap. Il substrato del nitruro di gallio (GaN) è

un substrato monocristallino di alta qualità. È fatto con il metodo originale di HVPE e la tecnologia della trasformazione del wafer, che originalmente è stata sviluppata per 10+years in Cina. Le caratteristiche sono l'alta uniformità cristallina e buona e qualità di superficie superiore. I substrati di GaN sono usati per molti generi di domande, di LED bianco ed il LD (viola, blu e verde) ancora, lo sviluppo ha progredito per potere e le applicazioni ad alta frequenza dell'apparecchio elettronico.

 

La larghezza di banda severa (luminescente ed assorbimento) riguarda la luce e l'infrarosso ultravioletti e visibili.

 

Applicazioni

GaN può essere utilizzato in molte aree quali l'esposizione di LED, la rilevazione ad alta energia e la rappresentazione,
Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.

 

  • Dispositivi ad alta frequenza rilevazione ad alta energia di a microonde ed immaginare
  • Nuova rilevazione dell'ambiente di tecnologia dell'idrogeno di solor di energia e medicina biologica
  • Banda del terahertz di sorgente luminosa
  • Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.       Stoccaggio della data
  • Illuminazione di ottimo rendimento                                        Esposizione di fla di colore pieno
  • Laser Projecttions                                                 Apparecchi elettronici alti- di efficienza

Wafer Undoped Si-verniciato 2INCH del nitruro di gallio per il dispositivo del laser 0

GaN Substrates Specification indipendente a 2 pollici

Wafer Undoped Si-verniciato 2INCH del nitruro di gallio per il dispositivo del laser 1

La nostra visione di impresa di Factroy
forniremo il substrato di GaN di alta qualità e la tecnologia dell'applicazione per l'industria la nostra fabbrica.
L'alta qualità GaNmaterial è il fattore di repressione per l'applicazione dei III-nitruri, per esempio lunga vita
ed alta stabilità LDs, alto potere ed alti dispositivi di a microonde di affidabilità, alta luminosità
ed alta efficienza, LED economizzatore d'energia.

- FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, TNT, UPS, lo SME, SF ed ecc.
(2) se avete vostro proprio numero preciso, è grande.
Se non, potremmo assistervi per consegnare. Freight=USD25.0 (il primo peso) + USD12.0/kg

Q: Che cosa è il termine di consegna?
(1) per i prodotti standard quale il wafer di 2inch 0.33mm.
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 4 settimane lavorative dopo ordine.

Q: Come pagare?
100%T/T, Paypal, unione ad ovest, MoneyGram, pagamento sicuro ed assicurazione commerciale.

Q: Che cosa è il MOQ?
(1) per l'inventario, il MOQ è 1pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-10pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche.

Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di ROHS e raggiungere i rapporti per i nostri prodotti.

 

Pacchetto

 
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