Breve: Scopri il substrato SiC Dummy Prime da 2 pollici e 4 pollici ad alte prestazioni, progettato per resistenza agli shock termici e durata superiore. Ideali per l'elettronica dei semiconduttori e le applicazioni LED ad alta potenza, questi wafer in carburo di silicio sono disponibili in dimensioni e tipologie personalizzabili, inclusi 4H-N e 6H-N. Esplora la prossima generazione di materiali semiconduttori con ZMKJ.
Caratteristiche del prodotto correlate:
Dimensioni personalizzabili: disponibili da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici.
Wafer SiC di tipo 4H-N e 6H-N ad elevata purezza per prestazioni superiori.
Eccellente resistenza agli shock termici per applicazioni ad alta temperatura.
Ideale per l'elettronica a semiconduttore e i dispositivi LED ad alta potenza.
Disponibili sia nel tipo N che nel tipo semiisolante.
Durezza Mohs di ≈9,2 per una durata eccezionale.
Conduttività termica fino a 4,9 W/cm*K per un'efficiente dissipazione del calore.
Adatto per ambienti ad alta tensione e ad alta temperatura.
FAQ:
Quali sono le dimensioni disponibili per i Wafer SiC?
I wafer di SiC sono disponibili nei formati da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici e 6 pollici, con opzioni di personalizzazione.
Quali tipi di wafer SiC offre ZMKJ?
ZMKJ offre wafer SiC di tipo 4H-N, 6H-N e semi-isolanti, soddisfacendo varie esigenze industriali.
Qual è il tempo di consegna per i wafer SiC personalizzati?
Per i prodotti personalizzati, i tempi di consegna sono generalmente di 2-4 settimane dalla conferma dell'ordine.
In che modo la conduttività termica dei wafer SiC apporta vantaggi alle applicazioni?
L'elevata conduttività termica (fino a 4,9 W/cm*K) garantisce un'efficiente dissipazione del calore, rendendoli ideali per dispositivi ad alta potenza e ad alta temperatura.