Introduce Silicon Carbide (SiC) Ceramic Tray for High Temperature Processing For You

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November 18, 2025
Connessione Categoria: Parti di ceramica
Breve: Looking for a reliable solution for high-temperature processing? This video showcases the Silicon Carbide (SiC) Ceramic Tray, highlighting its exceptional durability, thermal resistance, and applications in semiconductor and LED manufacturing. Learn how it outperforms traditional materials and discover its customizable features.
Caratteristiche del prodotto correlate:
  • Resistenza alle alte temperature: Prestazioni stabili sopra i 1600-1700 °C, ideale per forni ad alta temperatura.
  • Eccellente resistenza agli shock termici: Resiste a cicli di riscaldamento e raffreddamento rapidi senza fessurarsi.
  • Elevata durezza e resistenza all'usura: prolunga la durata utile sotto stress meccanico.
  • Bassa espansione termica: Garantisce la stabilità dimensionale durante i cicli termici.
  • Alta conducibilità termica: Favorisce una distribuzione uniforme del calore per una sinterizzazione omogenea.
  • Resistente alla corrosione e all'ossidazione: Riduce il rischio di contaminazione in processi delicati.
  • Bassa emissione di gas: Adatto per ambienti ultra-puliti come la produzione di semiconduttori.
  • Design personalizzabile: Disponibile in varie dimensioni, spessori e finiture superficiali.
FAQ:
  • Qual è la differenza tra i vassoi RBSiC e SSiC?
    RBSiC offre un'eccellente resistenza meccanica a un costo inferiore, mentre SSiC fornisce una purezza superiore e una migliore resistenza alla corrosione, rendendolo ideale per ambienti semiconduttori.
  • I vassoi in SiC possono resistere a cicli termici rapidi?
    Sì, il SiC ha un'eccezionale resistenza agli shock termici, il che lo rende adatto a processi di riscaldamento e raffreddamento rapidi.
  • È possibile personalizzare la forma del vassoio?
    Assolutamente. Possiamo produrre vassoi con geometrie complesse, inclusi scanalature, fori, bordi e strutture multistrato per soddisfare esigenze specifiche.
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