strato sic epitassiale di GaN dei wafer del grado di produzione di H-N Type del wafer 4 di 6inch SIC sopra sic

Informazioni di base
Luogo di origine: La CINA
Marca: ZMKJ
Numero di modello: wafer di 6inch 4h-n sic
Quantità di ordine minimo: 5pcs
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna: 1-6weeks
Termini di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1-50pcs/month
Materiale: Monocristallo sic 4h-N Grado: Grado di produzione
Thicnkss: 0.4mm Suraface: ha avvolto
Applicazione: per la prova polacca Diametro: 6inch
colore: Verde MPD: <2cm-2>

 

spessore del wafer 1mm del seme di 4h-n 4inch 6inch dia100mm sic per crescita del lingotto

Wafer come tagliati del grado 4H-N 1.5mm SIC di wafersProduction 4inch dei lingotti di Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/dei substrati wafersS/Customzied del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm elevata purezza 4H-N 4inch 6inch (sic) sic per il cristallo di seme

strato sic epitassiale di GaN dei wafer del grado di produzione di H-N Type del wafer 4 di 6inch SIC sopra sic

 

Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)

 

Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza.

 

1. Descrizione
Proprietà 4H-SiC, monocristallo 6H-SiC, monocristallo
Parametri della grata a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Impilamento della sequenza ABCB ABCACB
Durezza di Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densità 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coefficiente di espansione 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Indice @750nm di rifrazione

nessun = 2,61
Ne = 2,66

nessun = 2,60
Ne = 2,65

Costante dielettrica c~9.66 c~9.66
ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conducibilità termica (Semi-isolare)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Intervallo di banda eV 3,23 eV 3,02
Campo elettrico di ripartizione 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocità di deriva di saturazione 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Sic applicazioni

Campi di applicazione

  • 1 diodo Schottky di alto potere ed ad alta frequenza degli apparecchi elettronici, JFET, BJT, PiN,
  • diodi, IGBT, MOSFET
  • 2 dispositivi optoelettronici: pricipalmente utilizzato in GaN/nel materiale sic blu del substrato del LED (GaN/sic) LED

4 pollici n-hanno verniciato il wafer del carburo di silicio 4H sic

Specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro di 4H-N 4inch (sic)

   
specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro 2inch (sic)  
Grado Grado zero di MPD Grado di produzione Grado di ricerca Grado fittizio  
 
Diametro 100. mm±0.2mm  
 
Spessore 1000±25um o l'altro spessore su misura 
 
Orientamento del wafer Fuori dall'asse: 4.0° verso <1120> ±0.5° per 4H-N/4H-SI sull'asse: <0001> ±0.5° per 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Densità di Micropipe cm2 ≤0 cm2 ≤2 ≤5cm-2 cm2 ≤30  
 
Resistività 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
     
 
4/6H-SI ≥1E7 Ω·cm  
 
Piano primario {10-10} ±5.0° o forma rotonda 
 
Lunghezza piana primaria 18,5 mm±2.0 millimetro o forma rotonda  
 
Lunghezza piana secondaria 10.0mm±2.0 millimetro  
 
Orientamento piano secondario Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW. da ±5.0° piano principale  
 
Esclusione del bordo 1 millimetro  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Rugosità Ra≤1 polacco nanometro  
 
CMP Ra≤0.5 nanometro  
 
Crepe da luce ad alta intensità Nessuno 1 conceduto, ≤2 millimetro ≤ cumulativo 10mm, singolo length≤2mm di lunghezza  
 
 
Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità Area cumulativa ≤1% Area cumulativa ≤1% Area cumulativa ≤3%  
 
Aree di Polytype da luce ad alta intensità Nessuno Area cumulativa ≤2% Area cumulativa ≤5%  
 
 
Graffi da luce ad alta intensità 3 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer  
 
 
chip del bordo Nessuno 3 conceduti, ≤0.5 millimetro ciascuno 5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno  

 

Manifestazione dell'esposizione di produzione

strato sic epitassiale di GaN dei wafer del grado di produzione di H-N Type del wafer 4 di 6inch SIC sopra sic 1strato sic epitassiale di GaN dei wafer del grado di produzione di H-N Type del wafer 4 di 6inch SIC sopra sic 2strato sic epitassiale di GaN dei wafer del grado di produzione di H-N Type del wafer 4 di 6inch SIC sopra sic 3

 
CATALOGO   DIMENSIONE COMUNE   Nella NOSTRA LISTA di INVENTARIO
  
 

 

4 H-N Type/wafer/lingotti elevata purezza sic
2 wafer/lingotti N tipi di pollice 4H sic
3 wafer N tipo di pollice 4H sic
4 wafer/lingotti N tipi di pollice 4H sic
Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H/lingotti

4H cheisola/wafer elevata purezza sic

2 pollici 4H cheisolano sic wafer
3 pollici 4H cheisolano sic wafer
4 pollici 4H cheisolano sic wafer
4H a 6 pollici cheisola sic wafer
 
 
sic wafer N tipo 6H
2 wafer/lingotto N tipi di pollice 6H sic
 
 Dimensione di Customzied per 2-6inch
 
 

>Imballaggio – Logistcs

interessiamo ciascuno dettagli del pacchetto, pulizia, antistatica, trattamento d'urto.

Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente! Quasi dalle singole cassette del wafer o cassetta 25pcs nella stanza di pulizia di 100 gradi.

 

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