2inch sul wafer di strato del modello di AlN del substrato dello zaffiro per i dispositivi di 5G BAW

Informazioni di base
Luogo di origine: La Cina
Marca: ZMKJ
Numero di modello: AlN-zaffiro 2inch
Quantità di ordine minimo: 5pcs
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: singolo contenitore del wafer nella stanza di pulizia
Tempi di consegna: in 30days
Termini di pagamento: T/T, Western Union, Paypal
Capacità di alimentazione: 50PCS/Month
Substrato: wafer dello zaffiro Strato: Modello di AlN
Spessore di strato: 1-5um Tipo di conducibilità: N/P
Orientamento: 0001 Applicazione: alto potere/apparecchi elettronici ad alta frequenza
Applicazione 2: dispositivi di 5G saw/BAW spessore del silicio: 525um/625um/725um

lo zaffiro di 2inch 4iinch 6Inch ha basato il film di AlN dei modelli di AlN sul substrato dello zaffiro

2inch sul wafer di strato del modello di AlN del substrato dello zaffiro per i dispositivi di 5G BAW

 

Applicazioni di   Modello di AlN
 
  Il nostro OEM ha sviluppato pubblicazioni periodiche delle tecnologie private e reattori e facilità della crescita di -stato-de- art PVT a
fabbrichi le dimensioni differenti dei wafer monocristallini di alta qualità di AlN, temlpates di AlN. Siamo uno dei pochi di livello mondiale
società alta tecnologie che il proprio capa pieno di montaggio di AlN? i bilities per produrre i boules ed i wafer di alta qualità di AlN e forniscono
profes? servizi di sional e soluzioni chiavi in mano ai nostri clienti, sistemati dalla progettazione del reattore e di hotzone di crescita,
modellistica e simulazione, progettazione trattata ed ottimizzazione, crescita dei cristalli,
characteriza wafering e materiale? tion. Fino aprile 2019, hanno applicato più di 27 brevetti (PCT compreso).
 
             Specificazione
 
Specificazione2inch sul wafer di strato del modello di AlN del substrato dello zaffiro per i dispositivi di 5G BAW 0aracteristic di Ch

 

L'altra specificazione di relaterd 4INCH GaN Template

 

 

     
  Substrati del ₃ del ₂ O di Al di GaN/(4") 4inch
Oggetto Non-verniciato N tipo

Alto-verniciato

N tipo

Dimensione (millimetri) Φ100.0±0.5 (4")
Struttura del substrato GaN su zaffiro (0001)
SurfaceFinished (Norma: Opzione di SSP: DSP)
Spessore (μm) 4.5±0.5; 20±2; Su misura
Tipo di conduzione Non-verniciato N tipo N tipo Alto-verniciato
Resistività (Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaN Thickness Uniformity
 
≤±10% (4")
Densità di dislocazione (cm2)
 
≤5×108
Area utilizzabile >90%
Pacchetto Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100.
 

 

2inch sul wafer di strato del modello di AlN del substrato dello zaffiro per i dispositivi di 5G BAW 12inch sul wafer di strato del modello di AlN del substrato dello zaffiro per i dispositivi di 5G BAW 2

Sistema cristallino

Solfuro di zinco

Costante della grata (Å) a=3.112, c=4.982
Conduzione a banda Bandgap diretto
Densità (g/cm3) 3,23
Microdurezza di superficie (prova di Knoop) 800
Punto di fusione (℃) 2750 (barra 10-100 in N2)
Conducibilità termica (W/m·K) 320
Energia di intervallo di banda (eV) 6,28
Mobilità di elettrone (V·s/cm2) 1100
Campo elettrico di ripartizione (MV/cm) 11,7

2inch sul wafer di strato del modello di AlN del substrato dello zaffiro per i dispositivi di 5G BAW 32inch sul wafer di strato del modello di AlN del substrato dello zaffiro per i dispositivi di 5G BAW 4

 

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