| Marchio: | ZMKJ |
| Numero di modello: | Monocristallo UTI-AlN-10x10 |
| MOQ: | 1PCS |
| prezzo: | by case |
| Dettagli dell' imballaggio: | singolo contenitore del wafer nella stanza di pulizia |
| Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, Paypal |
10x10mm o diametro 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, wafer di monocristallo di AlN del substrato di dia50.8mm AlN
Qualità S-grado (eccellente) P-grado (produzione) R-grado (ricerca)
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| Sistema cristallino |
Solfuro di zinco |
| Costante della grata (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Conduzione a banda | Bandgap diretto |
| Densità (g/cm3) | 3,23 |
| Microdurezza di superficie (prova di Knoop) | 800 |
| Punto di fusione (℃) | 2750 (barra 10-100 in N2) |
| Conducibilità termica (W/m·K) | 320 |
| Energia di intervallo di banda (eV) | 6,28 |
| Mobilità di elettrone (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo elettrico di ripartizione (MV/cm) | 11,7 |