• Substrato del carburo di silicio di spessore 0.5mm 10x10mm HPSI
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Substrato del carburo di silicio di spessore 0.5mm 10x10mm HPSI

Substrato del carburo di silicio di spessore 0.5mm 10x10mm HPSI

Dettagli:

Luogo di origine: La CINA
Marca: ZMKJ
Numero di modello: 5x5mm

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 20 pc
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna: 1-6weeks
Termini di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1-50pcs/month
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Materiale: Monocristallo sic HPSI Grado: Grado di produzione
Thicnkss: 0.5mm Suraface: doppio lato lucidato
Applicazione: prova di lucidatura del creatore del dispositivo Diametro: 5X5mmt
Resistività: > 1E7 Ω.cm
Evidenziare:

Substrato del carburo di silicio di HPSI

,

substrato del carburo di silicio di 0.5mm

,

wafer di 10x10mm HPSI SIC

Descrizione di prodotto

 

prova non-verniciata su misura di ricerca di ottica di forquantum dei wafer di elevata purezza HPSI SIC di dimensione 10x10mm 5*5mm

 

Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)

 

Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza.

 
1. Descrizione
Proprietà 4H-SiC, monocristallo 6H-SiC, monocristallo
Parametri della grata a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Impilamento della sequenza ABCB ABCACB
Durezza di Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densità 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coefficiente di espansione 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Indice @750nm di rifrazione

nessun = 2,61

Ne = 2,66

nessun = 2,60

Ne = 2,65

Costante dielettrica c~9.66 c~9.66
ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conducibilità termica (Semi-isolare)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Intervallo di banda eV 3,23 eV 3,02
Campo elettrico di ripartizione 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocità di deriva di saturazione 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

Wafer n-verniciato a 4 pollici del carburo di silicio 4H sic

Specificazione standard per sic i wafer

 

4 specificazione di cristallo del substrato del carburo di silicio del diametro del grado 4inch di H-N Seed (sic)

Substrato del carburo di silicio di spessore 0.5mm 10x10mm HPSI 1

Manifestazione del prodotto:

 

Substrato del carburo di silicio di spessore 0.5mm 10x10mm HPSI 2

Substrato del carburo di silicio di spessore 0.5mm 10x10mm HPSI 3

 
CATALOGO   DIMENSIONE COMUNE
                            
 

 

4 H-N Type/wafer/lingotti elevata purezza sic
Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H/lingotti
Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H
Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H/lingotti
Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H/lingotti

 

4H cheisola/wafer elevata purezza sic

4H a 2 pollici cheisola sic wafer
4H a 3 pollici cheisola sic wafer
4H a 4 pollici cheisola sic wafer
4H a 6 pollici cheisola sic wafer
 
 
sic wafer N tipo 6H
Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H/lingotto

 
 Dimensione di Customzied per 2-6inch
 
 

Circa ZMKJ Company

 

ZMKJ può fornisce il wafer del monocristallo di alta qualità sic (carburo di silicio) all'industria elettronica ed optoelettronica. Sic il wafer è un materiale a semiconduttore della prossima generazione, con le proprietà elettriche uniche e le proprietà termiche eccellenti, confrontate alla lastra di silicio ed al wafer di GaAs, sic wafer è più adatte ad applicazione del dispositivo di alto potere e di temperatura elevata. Sic il wafer può essere fornito di diametro a 2-6 pollici, sia 4H che 6H sic, N tipo, azoto verniciato e tipo d'isolamento disponibile. Contattici prego per più informazioni di prodotto.

 

FAQ:

Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?

: (1) accettiamo DHL, Fedex, lo SME ecc.

(2) è benissimo se avete vostro proprio conto preciso, se non, noi potrebbe aiutarvi a spedirli e

Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.

 

Q: Come pagare?

: Deposito di T/T 100% prima della consegna.

 

Q: Che cosa è il vostro MOQ?

: (1) per l'inventario, il MOQ è 1pcs. se 2-5pcs è migliore.

(2) per i prodotti comuni su misura, il MOQ è 10pcs su.

 

Q: Che cosa è il termine di consegna?

: (1) per i prodotti standard

Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.

Per i prodotti su misura: la consegna è di 2 -4 settimane dopo voi contatto di ordine.

 

Q: Avete prodotti standard?

: I nostri prodotti standard in azione. come substrati simili 4inch 0.35mm.

 

Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto
Sono interessato a Substrato del carburo di silicio di spessore 0.5mm 10x10mm HPSI potresti inviarmi maggiori dettagli come tipo, dimensione, quantità, materiale, ecc.
Grazie!
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