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Di silicio del carburo del wafer di elevata purezza di silicio del carburo lente trasparente incolore dei wafer sic
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | ZMKJ |
| Numero di modello: | purezza alta 4inch |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1pcs |
|---|---|
| Imballaggi particolari: | singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi |
| Tempi di consegna: | 1-6weeks |
| Termini di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | 1-50pcs/month |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Tipo del monocristallo sic 4H-N | Grado: | Manichino/grado /Production di ricerca |
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| Thicnkss: | 350um o 500um | Suraface: | CMP/MP |
| Applicazione: | prova di lucidatura del creatore del dispositivo | Diametro: | 100±0.3mm |
| Evidenziare: | substrato del carburo di silicio,sic wafer |
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Descrizione di prodotto
Resistivity1E10 di elevata purezza 2/3/4/6inch di silicio del carburo lente trasparente incolore dei wafer sic
di elevata purezza 2/3/4/6inch di silicio del carburo wafer trasparenti incolori dei substrati del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm di elevata purezza 4H-N 4inch 6inch della lente dei wafer sic (sic), dei lingotti substrati sic di cristallo a semiconduttore sic, wafer come tagliati di Customzied del wafer di cristallo del carburo di silicio sic
Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)
Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza.
PROPRIETÀ del monocristallo 4H-SiC
- Parametri della grata: a=3.073Å c=10.053Å
- Impilamento della sequenza: ABCB
- Durezza di Mohs: ≈9.2
- Densità: 3,21 g/cm3
- Therm. Coefficiente di espansione: 4-5×10-6/K
- Indice di rifrazione: ne= 2,66 del no= 2,61
- Costante dielettrica: 9,6
- Conducibilità termica: a~4.2 W/cm·K@298K
- (N tipo, 0,02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
- Conducibilità termica: a~4.9 W/cm·K@298K
- (Semi-isolare) c~3.9 W/cm·K@298K
- Intervallo di banda: un intervallo di banda di 3,23 eV: eV 3,02
- Campo elettrico di ripartizione: 3-5×10 6V/m
- Velocità di deriva di saturazione: 2.0×105m/
Specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro di elevata purezza 4inch (sic)
Specifiche a 4 pollici del substrato del carburo di silicio di elevata purezza 4H del diametro
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PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO |
Grado di produzione |
Grado di ricerca |
Grado fittizio |
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Diametro |
100,0 millimetro +0.0/-0.5millimetri |
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Orientamento di superficie |
{0001} ±0.2° |
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Orientamento piano primario |
<11->20> ̊ del ± 5,0 |
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Orientamento piano secondario |
90,0 ̊ CW dal ̊ primario del ± 5,0, silicio rivolto verso l'alto |
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Lunghezza piana primaria |
32,5 millimetri ±2.0 millimetro |
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Lunghezza piana secondaria |
18,0 millimetri ±2.0 millimetro |
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Bordo del wafer |
Smusso |
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Densità di Micropipe |
cm2 di ≤5 micropipes/ |
cm2del ≤10micropipes/ |
cm2 di ≤50 micropipes/ |
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Aree di Polytype da luce ad alta intensità |
Nessuno hanno permesso |
areadel ≤10% |
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Resistività |
≥1E5 Ω·cm |
(area 75%) ≥1E5 Ω·cm |
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Spessore |
350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm |
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TTV |
≦10μm |
μmdel ≦15 |
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Arco (valore assoluto) |
μmdel ≦25 |
μmdel ≦30 |
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Filo di ordito |
μmdel ≦45 |
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Finitura superficia |
Doppio polacco del lato, CMP del fronte di si (lucidatura chimica) |
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Rugosità di superficie |
Fronte Ra≤0.5 nanometro di si del CMP |
N/A |
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Crepe da luce ad alta intensità |
Nessuno hanno permesso |
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Chip/rientranze del bordo da illuminazione diffusa |
Nessuno hanno permesso |
Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri |
Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri |
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Area utilizzabile totale |
≥90% |
≥80% |
N/A |
il *The altre specifiche può essere personalizzato secondo i requisiti del cliente
- Alto - purezza a 6 pollici cheisola le specifiche dei substrati 4H-SiC
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Proprietà |
Grado di U (ultra) |
Grado di P (produzione) |
Grado della R (ricerca) |
Grado (fittizio) di D |
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Diametro |
150,0 mm±0.25 millimetro |
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Orientamento di superficie |
± 0.2° {di 0001} |
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Orientamento piano primario |
<11-20> ̊ del ± 5,0 |
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Orientamento piano secondario |
N/A |
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Lunghezza piana primaria |
47,5 millimetri ±1.5 millimetro |
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Lunghezza piana secondaria |
Nessuno |
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Bordo del wafer |
Smusso |
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Densità di Micropipe |
≤1 /cm2 |
≤5 /cm2 |
≤10 /cm2 |
≤50 /cm2 |
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Area di Polytype da luce ad alta intensità |
Nessuno |
≤ 10% |
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Resistività |
≥1E7 Ω·cm |
(area 75%) ≥1E7 Ω·cm |
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Spessore |
350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm |
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TTV |
μmdel ≦10 |
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Arco (valore assoluto) |
μmdel ≦40 |
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Filo di ordito |
μmdel ≦60 |
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Finitura superficia |
C-fronte: Lucidata ottica, Si-fronte: CMP |
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Rugosità (10μm del ×10delμm) |
Ra del Si-fronte del CMP<> 0,5 nanometri |
N/A |
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Crepa da luce ad alta intensità |
Nessuno |
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Chip/rientranze del bordo da illuminazione diffusa |
Nessuno |
Qty≤2, la lunghezza e larghezza di ogni<> 1mm |
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Area efficace |
≥90% |
≥80% |
N/A |
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* i limiti di difetti si applicano all'intera superficie del wafer eccezione fatta per l'area di esclusione del bordo. # i graffi dovrebbero essere verificati il fronte di si soltanto.
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Tipo 4H-N/wafer/lingotti elevata purezza sic
Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H/lingotti
Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H/lingotti Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H/lingotti |
4H cheisola/wafer elevata purezza sic 4H a 2 pollici cheisola sic wafer
4H a 3 pollici cheisola sic wafer 4H a 4 pollici cheisola sic wafer 4H a 6 pollici cheisola sic wafer |
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sic wafer N tipo 6H
Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H/lingotto |
Dimensione di Customzied per 2-6inch
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Vendite & servizio di assistenza al cliente
Acquisto dei materiali
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Qualità
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Servizio
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