Superficie avvolta spessore di cristallo a 2 pollici del wafer 0,3 di Gap del substrato del fosfuro del gallio
Dettagli:
Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | zmkj |
Numero di modello: | 2inch |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 5pz |
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Prezzo: | BY CASE |
Imballaggi particolari: | singolo contenitore di wafer |
Tempi di consegna: | 2-quattro settimane |
Termini di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Capacità di alimentazione: | 100PZ |
Informazioni dettagliate |
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Materiale: | monocristallo di purezza 99,99% | Orientamento: | 111 |
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Dimensioni: | 2inch | superficie: | avvolto |
Spessore: | 300um | Applicazione: | industria elettronica ed optoelettronica |
Metodo di crescita: | LEC | ||
Evidenziare: | substrato del wafer,wafer a semiconduttore |
Descrizione di prodotto
Cristalli a 2-6 pollici substrato di cristallo, wafer del fosfuro del gallio (Gap) di Gap
La latta di ZMKJ fornisce il wafer di 2inch Gap – fosfuro del gallio che si sviluppano da LEC (Czochralski incapsulato liquido) come grado epi-pronto o meccanico con il tipo di n, il tipo di p o l'semi-isolamento nell'orientamento differente (111) o (100).
Il fosfuro del gallio (Gap), un fosfuro di gallio, è un materiale a semiconduttore composto con un intervallo di banda indiretto di 2.26eV (300K). Il materiale policristallino ha l'aspetto dei pezzi arancio pallidi. I wafer Undoped del monocristallo compaiono arancia pura, ma i wafer forte verniciati compaiono più scuro dovuto assorbimento del franco vettore. È inodoro ed insolubile in acqua. Lo zolfo o il tellurio è usato come dopant per produrre i semiconduttori n tipi. Lo zinco è usato come dopant per il semiconduttore p tipo. Il fosfuro del gallio ha applicazioni in sistemi ottici. Il suo indice di rifrazione è fra 4,30 a 262 nanometro (UV), 3,45 a 550 il nanometro (verde) e 3,19 a 840 il nanometro (IR).
wafer di Gap del monocristallo di alta qualità (fosfuro del gallio) ad industria elettronica ed optoelettronica di diametro fino ad a 2 pollici. L'a cristallo del fosfuro del gallio (Gap) è un materiale semitraslucido giallo arancio costituito da due elementi, il wafer di Gap è un materiale importante a semiconduttore che hanno proprietà elettriche uniche poichè altri materiali del composto di III-V e sono ampiamente usati come LED rosso, giallo e verde (diodi a emissione luminosa). Abbiamo wafer come tagliato di Gap del monocristallo per la vostra applicazione di LPE ed inoltre forniamo il wafer pronto di Gap del grado di epi per la vostra applicazione epitassiale di MBE & di MOCVD. Contattici prego per più informazioni di prodotto.
Elettrico e verniciando specificazione
Nome di prodotto: | Substrato di cristallo del fosfuro del gallio (Gap) | ||||||||||||||||||||||
Parametri tecnici:
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Specifiche: |
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StandardPacking | borsa pulita 1000 stanza pulita, 100 o singolo imballaggio della scatola |
Dopant disponibile | S / Zn/Cr/Undoped |
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Tipo di conducibilità | N / P, semiconduttrice/Semi-isolante |
Concentrazione | 1E17 - 2E18 cm-3 |
Mobilità | > 100 cm2/v.s. |
Specificazione di prodotto
Crescita | LEC |
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Diametro | Ø 2" |
Spessore | 300um |
Orientamento | <100> / <111> / <110> o altri |
Fuori dall'orientamento | Fuori da 2° a 10° |
Superficie | Un lato lucidato o due lati lucidati o avvolti |
Opzioni piane | EJ o SEMI. Campione. |
TTV | <> |
EPD | <> |
Grado | Epi ha lucidato il grado/grado meccanico |
Pacchetto | Singolo contenitore del wafer |
Immagini del campione
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FAQ:
Q: Che cosa è il termine di consegna?
A: (1) per i prodotti standard
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.
(2) per i prodotti a forma di speciale, la consegna è 4 settimane lavorative dopo che ordinate.
Q: Che cosa è il vostro MOQ?
A: (1) per l'inventario, il MOQ è 3pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10-20pcs su.