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Wafer di GaAs dell'arsenuro di gallio del substrato del semiconduttore drogato di si per Microwave/HEMT/PHEMT
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | zmkj |
| Numero di modello: | 6inch S-C-N |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 5pz |
|---|---|
| Prezzo: | by case |
| Imballaggi particolari: | il singolo wafer ha imballato in 6" scatola di plastica sotto N2 |
| Tempi di consegna: | 2-quattro settimane |
| Termini di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | 500pcs al mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Monocristallo di GaAs | Dimensioni: | 6inch |
|---|---|---|---|
| Spessore: | 650um o customzied | Di tipo: | tacca o del piano |
| Orientamento: | (100) 2°off | superficie: | DSP |
| Metodo di crescita: | VFG | ||
| Evidenziare: | substrato del gasb,wafer a semiconduttore |
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Descrizione di prodotto
il tipo di 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-ha verniciato il wafer di GaAs dell'arsenuro di gallio
Descrizione di prodotto
Wafer dell'arsenuro di gallio (GaAs)
PWAM sviluppa e fabbrica il cristallo ed il wafer dell'arseniuro del substrato-gallio a semiconduttore composto. Abbiamo usato la tecnologia avanzata della crescita dei cristalli, la gelata verticale di pendenza (VGF) e tecnologia della trasformazione del wafer di GaAs, abbiamo stabilito una linea di produzione da crescita dei cristalli, taglio, macinazione all'elaborazione di lucidatura ed abbiamo sviluppato una stanza pulita di 100 classi per pulizia e l'imballaggio del wafer. Il nostro wafer di GaAs include il lingotto a 2~6 pollici/wafer per il LED, il LD e le applicazioni della microelettronica. Siamo dedicati sempre per migliorare attualmente la qualità dei sottostati e per sviluppare i grandi substrati.
Wafer dell'arsenuro di gallio (GaAs) per le applicazioni del LED
- 1. Pricipalmente utilizzato nell'elettronica, la bassa temperatura unisce in lega, arsenuro di gallio.
- 2. Il composto chimico primario di gallio nell'elettronica, è utilizzato nei circuiti di a microonde, nei circuiti ad alta velocità di commutazione e nei circuiti infrarossi.
- 3. Il nitruro di gallio ed il nitruro di gallio dell'indio, dato che gli usi a semiconduttore, producono i diodi a emissione luminosa blu e viola (LEDs) ed i laser a diodi.
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SPECIFICAZIONE --Wafer N tipo dell'arsenuro di gallio del Si-dopant a 6 pollici SSP/DSP LED/LD
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Metodo di crescita
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VGF
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Orientamento
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<100>
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Diametro
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150,0 +/- 0,3 millimetri
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Spessore
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650um +/- 25um
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Polacco
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Scelga (SSP) lucidato parteggiato
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Rugosità di superficie
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Lucidato
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TTV/Bow
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<10um>
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Dopant
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Si
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Tipo di conducibilità
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N tipo
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Resistività (al RT)
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(1.2~9.9) *10-3 ohm cm
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Densità del pozzo incissione all'acquaforte (EPD)
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LED <5000>2; LD <500>
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Mobilità
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Cm2/v.s del LED >1000; Cm2/v.s di LD >1500
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Concentrazione in trasportatore
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LED > (0.4-4) *1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3
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Specifiche del wafer semiconduttore di GaAs
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Metodo di crescita |
VGF |
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Dopant |
p tipo: Zn |
n tipo: Si |
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Forma del wafer |
Rotondo (diametro: 2", 3", 4", 6") |
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Orientamento di superficie * |
(100) ±0.5° |
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|
* altri orientamenti forse disponibili su richiesta |
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Dopant |
Si (n tipo) |
Zn (p tipo) |
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Concentrazione in trasportatore (cm-3) |
(0.8-4) × 1018 |
(0.5-5) × 1019 |
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Mobilità (cm2/V.S.) |
× 103 (di 1-2.5) |
50-120 |
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Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) |
100-5000 |
3,000-5,000 |
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Diametro del wafer (millimetro) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
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|
Spessore (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
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|
TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
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|
TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
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FILO DI ORDITO (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
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|
DI (millimetro) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
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DI/SE (millimetro) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
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Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
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Specifiche di semi-isolamento del wafer di GaAs
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Metodo di crescita |
VGF |
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Dopant |
Tipo di SI: Carbonio |
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Forma del wafer |
Rotondo (diametro: 2", 3", 4", 6") |
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Orientamento di superficie * |
(100) ±0.5° |
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|
* altri orientamenti forse disponibili su richiesta |
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Resistività (Ω.cm) |
× 107 del ≥ 1 |
× 108 del ≥ 1 |
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Mobilità (cm2/V.S) |
≥ 5.000 |
≥ 4.000 |
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|
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) |
1,500-5,000 |
1,500-5,000 |
||
|
Diametro del wafer (millimetro) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
150±0.3 |
|
Spessore (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
675±25 |
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TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
|
TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
FILO DI ORDITO (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 15 |
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DI (millimetro) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
TACCA |
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DI/SE (millimetro) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
N/A |
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Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, TNT, UPS, lo SME, SF ed ecc.
(2) se avete vostro proprio numero preciso, è grande.
Se non, potremmo assistervi per consegnare. Freight=USD25.0 (il primo peso) + USD12.0/kg
Q: Che cosa è il termine di consegna?
(1) per i prodotti standard quali la lente della palla, la lente di powell e la lente del collimatore:
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane lavorative dopo ordine.
(2) per i prodotti fuori standard, la consegna è 2 o 6 settimane lavorative dopo che ordinate.
Q: Come pagare?
T/T, Paypal, unione ad ovest, MoneyGram, assicurazione sicura di commercio e di pagamento su Alibaba ed ecc…
Q: Che cosa è il MOQ?
(1) per l'inventario, il MOQ è 5pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-20pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche
Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.
Imballaggio – Logistcs
interessiamo ciascuno dettagli del pacchetto, pulizia, antistatica, trattamento d'urto. Secondo la quantità e la forma del prodotto,
prenderemo un processo d'imballaggio differente!