Tipo A 2 POLLICI lingotti del wafer del carburo di silicio 6H-N dei wafer sic di cristallo 330um di MPD 50cm
Dettagli:
Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | ZMKJ |
Numero di modello: | 6H-N |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 1pcs |
---|---|
Prezzo: | by case |
Imballaggi particolari: | singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi |
Tempi di consegna: | 1-6weeks |
Termini di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Capacità di alimentazione: | 1-50pcs/month |
Informazioni dettagliate |
|||
Materiale: | Tipo 6H-N di monocristallo sic | Grado: | Manichino |
---|---|---|---|
Thicnkss: | 0.35MM/10-15mm | Suraface: | Lucidato |
Applicazione: | sopportare prova | Diametro: | 2inch |
Colore: | verde | ||
Evidenziare: | substrato del carburo di silicio,sic wafer |
Descrizione di prodotto
Wafer come tagliati dei lingotti di Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/dei substrati wafersS/Customzied del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm elevata purezza 4H-N 4inch 6inch (sic) sic
Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)
Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza.
Proprietà | 4H-SiC, monocristallo | 6H-SiC, monocristallo |
Parametri della grata | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Impilamento della sequenza | ABCB | ABCACB |
Durezza di Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densità | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Therm. Coefficiente di espansione | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Indice @750nm di rifrazione |
nessun = 2,61 |
nessun = 2,60 |
Costante dielettrica | c~9.66 | c~9.66 |
ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica |
a~4.2 W/cm·K@298K |
|
Conducibilità termica (Semi-isolare) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
Intervallo di banda | eV 3,23 | eV 3,02 |
Campo elettrico di ripartizione | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Velocità di deriva di saturazione | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro di elevata purezza 4inch (sic)
specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro 2inch (sic) | ||||||||||
Grado | Grado zero di MPD | Grado di produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio | ||||||
Diametro | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
Spessore | 330 μm±25μm o 430±25um | |||||||||
Orientamento del wafer | Fuori dall'asse: 4.0° verso <1120> ±0.5° per 4H-N/4H-SI sull'asse: <0001> ±0.5° per 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
Densità di Micropipe | cm2 ≤0 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||||
Resistività | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
Piano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||||
Lunghezza piana primaria | 18,5 mm±2.0 millimetro | |||||||||
Lunghezza piana secondaria | 10.0mm±2.0 millimetro | |||||||||
Orientamento piano secondario | Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW. da ±5.0° piano principale | |||||||||
Esclusione del bordo | 1 millimetro | |||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
Rugosità | Ra≤1 polacco nanometro | |||||||||
CMP Ra≤0.5 nanometro | ||||||||||
Crepe da luce ad alta intensità | Nessuno | 1 conceduto, ≤2 millimetro | ≤ cumulativo 10mm, singolo length≤2mm di lunghezza | |||||||
Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità | Area cumulativa ≤1% | Area cumulativa ≤1% | Area cumulativa ≤3% | |||||||
Aree di Polytype da luce ad alta intensità | Nessuno | Area cumulativa ≤2% | Area cumulativa ≤5% | |||||||
Graffi da luce ad alta intensità | 3 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | |||||||
chip del bordo | Nessuno | 3 conceduti, ≤0.5 millimetro ciascuno | 5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno | |||||||
4 H-N Type/wafer/lingotti elevata purezza sic
Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H/lingotti
Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H/lingotti Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H/lingotti |
4H a 2 pollici cheisola sic wafer
4H a 3 pollici cheisola sic wafer 4H a 4 pollici cheisola sic wafer 4H a 6 pollici cheisola sic wafer |
sic wafer N tipo 6H
Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H/lingotto |
Dimensione di Customzied per 2-6inch
|
Sic applicazioni
Campi di applicazione
- 1 diodo Schottky di alto potere ed ad alta frequenza degli apparecchi elettronici, JFET, BJT, PiN,
- diodi, IGBT, MOSFET
- 2 dispositivi optoelettronici: pricipalmente utilizzato in GaN/nel materiale sic blu del substrato del LED (GaN/sic) LED
>Imballaggio – Logistcs
interessiamo ciascuno dettagli del pacchetto, pulizia, antistatica, trattamento d'urto.
Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente! Quasi dalle singole cassette del wafer o cassetta 25pcs nella stanza di pulizia di 100 gradi.