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4" silicio sul grado 4H di perfezione di produzione dei wafer dello zaffiro N-ha verniciato sic i wafer
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | ZMKJ |
| Numero di modello: | P-grado 4inch |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1pcs |
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| Prezzo: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| Imballaggi particolari: | singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi |
| Tempi di consegna: | 1-6weeks |
| Termini di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | 1-50pcs/month |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Tipo del monocristallo sic 4H-N | Grado: | Manichino/grado /Production di ricerca |
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| Thicnkss: | 350um o 500um | Suraface: | CMP/MP |
| Applicazione: | prova di lucidatura del creatore del dispositivo | Diametro: | 100±0.3mm |
| Evidenziare: | substrato del carburo di silicio,sic wafer |
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Descrizione di prodotto
Wafer dei substrati del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm del grado 6inch di prova 4H-N (sic), dei lingotti substrati sic di cristallo a semiconduttore sic, wafer come tagliati di Customzied del wafer di cristallo del carburo di silicio sic
Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)
Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza
Specificazione a 4 pollici del substrato del carburo di silicio del diametro (sic)
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Grado |
Grado zero di produzione di MPD (Grado di Z) |
Grado di produzione (Grado di P) |
Grado fittizio (grado di D) |
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Diametro |
99.5-100 millimetri |
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Spessore |
4H-N |
350 μm±25μm |
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4H-SI |
500 μm±25μm |
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Orientamento del wafer |
Fuori dall'asse: 4.0°toward<> 1120 > ±0.5° per 4H-N sull'asse: <0001>±0.5° per 4H-SI |
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Densità di Micropipe |
4H-N |
≤0.5cm-2 |
≤2cm2 |
≤15cm2 |
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4H-SI |
≤1cm-2 |
≤5cm2 |
≤15cm2 |
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Resistività |
4H-N |
0.015~0.025 Ω·cm |
0.015~0.028 Ω·cm |
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4H-SI |
≥1E7Ω·cm |
≥1E5Ω·cm |
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Piano primario |
{10-10} ±5.0° |
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Lunghezza piana primaria |
32,5 mm±2.0 millimetro |
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Lunghezza piana secondaria |
18.0mm±2.0 millimetro |
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Orientamento piano secondario |
Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW. da ±5.0° piano principale |
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Esclusione del bordo |
2 millimetri |
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LTV/TTV/Bow /Warp |
≤4μm/≤10μm/≤25μm/≤35μm |
≤10μm/≤15μm/≤25μm/≤40μm |
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Rugosità |
≤ polacco del Ra1nanometro |
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≤ del Ra del CMP0,5nanometri |
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Crepe da luce ad alta intensità |
Nessuno |
≤ cumulativo 10mm, singolo length≤2mm di lunghezza |
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Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità |
≤ cumulativo0,05%di area |
≤ cumulativo0,1%di area |
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Aree di Polytype da luce ad alta intensità |
Nessuno |
≤ cumulativo3%di area |
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Inclusioni visive del carbonio |
≤ cumulativo0,05%di area |
≤ cumulativo3%di area |
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Graffi da luce ad alta intensità |
Nessuno |
Diametro cumulativo del×waferdel ≤1 di lunghezza |
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Chip del bordo |
Nessuno |
5 permessi, ≤1millimetrociascuno |
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Contaminazione da luce ad alta intensità |
Nessuno |
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Imballaggio |
cassetta del Multi-wafer o singolo contenitore del wafer |
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Note:
* i limiti di difetti si applicano all'intera superficie del wafer eccezione fatta per l'area di esclusione del bordo. # i graffi dovrebbero essere verificati il fronte di si soltanto.
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Tipo 4H-N/wafer/lingotti elevata purezza sic
Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H/lingotti
Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H/lingotti Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H/lingotti |
4H cheisola/wafer elevata purezza sic 4H a 2 pollici cheisola sic wafer
4H a 3 pollici cheisola sic wafer 4H a 4 pollici cheisola sic wafer 4H a 6 pollici cheisola sic wafer |
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sic wafer N tipo 6H
Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H/lingotto |
Dimensione di Customzied per 2-6inch
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Vendite & servizio di assistenza al cliente
Acquisto dei materiali
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Qualità
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Servizio
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