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2" wafer LD/LED di GaAs DSP/SSP dell'arsenuro di gallio del dopant di si del substrato a semiconduttore dei semi di N
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | zmkj |
| Numero di modello: | GaAs-N-4inch |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 5pz |
|---|---|
| Prezzo: | 100-200usd/pcs |
| Imballaggi particolari: | in caso del wafer della cassetta 25pcs o singolo dall'imballaggio sotto vuoto |
| Tempi di consegna: | 2-quattro settimane |
| Termini di pagamento: | T / T, unione occidentale |
| Capacità di alimentazione: | 2000pcs al mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Cristallo di GaAs | Metodo: | VGF |
|---|---|---|---|
| Dimensione: | 4inch dia100mm | Thickess: | 380um |
| Superficie: | DSP | Applicazione: | principale, dispositivo di ld |
| Evidenziare: | substrato del gasb,wafer a semiconduttore |
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Descrizione di prodotto
Metod 2inch/3inch N tipo, 4inch, wafer di VFG dell'arsenuro di gallio di 6inch dia150mm GaAs N tipi
tipo d'isolamento per la microelettronica,
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Wafer dell'arsenuro di gallio (GaAs)
L'arsenuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio ed arsenico. È un semiconduttore diretto del bandgap di III-V
con un sistema cristallino della blenda.
L'arsenuro di gallio è utilizzato nella fabbricazione di dispositivi quali i circuiti integrati di frequenza delle microonde, monolitica
circuiti integrati di a microonde, diodi a emissione luminosa infrarossi, diodi laser, pile solari e finestre ottiche. [2]
Il GaAs è usato spesso come materiale del substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori di III-V compreso l'arsenuro di gallio dell'indio,
arsenuro di gallio ed altri di alluminio.
.
Caratteristica ed applicazione del wafer di GaAs
| Caratteristica | Campo di applicazione |
|---|---|
| Alta mobilità di elettrone | Diodi luminescenti |
| Alta frequenza | Diodi laser |
| Alta efficienza di conversione | Dispositivi fotovoltaici |
| Basso consumo energetico | Alto transistor di mobilità di elettrone |
| Intervallo di banda diretto | Transistor bipolare di Heterojunction |
Specificazione
GaAs Undoped
Specifiche d'isolamento di GaAs
| Metodo di crescita | VGF |
| Dopant | Carbonio |
| Wafer Shape* | Giro (diametro: 2", 3", 4" e 6") |
| Orientamento di superficie ** | (100) ±0.5° |
» Wafer *5 disponibili su richiesta
** Altri orientamenti forse disponibili su richiesta
| Resistività (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Mobilità (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 |
| Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Diametro del wafer (millimetri) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Spessore (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| FILO DI ORDITO (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| DI (millimetri) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | TACCA |
| DI/SE (millimetri) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
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Pacchetto & consegna
FAQ & CONTATTO
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Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento? : per il primo affare è 100% prima della consegna.
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