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Wafer a 4 pollici del nitruro di gallio 2 4-5 Um III da 0,43 millimetri dello zaffiro substrati sic
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | zmkj |
| Numero di modello: | modello 2-4inch |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 2PCS |
|---|---|
| Prezzo: | by case |
| Imballaggi particolari: | singola cassa del wafer dall'imballaggio sotto vuoto |
| Tempi di consegna: | 1-5weeks |
| Termini di pagamento: | T / T, unione occidentale |
| Capacità di alimentazione: | 50pcs al mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Monocristallo di GaN | Dimensioni: | 2inch |
|---|---|---|---|
| Spessore: | 4-5um su 0.43mm | Tipo: | Modello |
| Applicazione: | Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere | Crescita: | HVPE |
| Evidenziare: | wafer gan,Wafer dell'arsenuro di gallio |
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Descrizione di prodotto
modello dei substrati di 2inch GaN, wafer per LeD, wafer semiconduttore per il ld, modello di GaN, wafer di mocvd GaN, substrati indipendenti dalla dimensione su misura, wafer di piccola dimensione per il LED, wafer 10x10mm, 5x5mm, wafer di 10x5mm GaN, substrati indipendenti non polari di GaN del nitruro di gallio di GaN di GaN del nitruro di gallio di mocvd di GaN (un-aereo e m.-aereo)
Caratteristica del wafer di GaN
- III-nitruro (GaN, AlN, locanda)
Il nitruro di gallio è un genere di semiconduttori composti di ampio-Gap. Il substrato del nitruro di gallio (GaN) è
un substrato monocristallino di alta qualità. È fatto con il metodo originale di HVPE e la tecnologia della trasformazione del wafer, che originalmente è stata sviluppata per 10+years in Cina. Le caratteristiche sono l'uniformità su cristallina e buona e qualità di superficie superiore. I substrati di GaN sono usati per molti generi di domande, di LED bianco ed il LD (viola, blu e verde) ancora, lo sviluppo ha progredito per le applicazioni dell'apparecchio elettronico di alta frequenza e di potere.
Copertura severa di larghezza di banda (luminescente ed assorbimento) l'ultravioletto, la luce visibile e l'infrarosso.
Specificazione a 2-4 pollici dei modelli di GaN
| n tipo | p tipo | Semi-isolamento | |
|---|---|---|---|
| n [cm-3] | fino a 1019 | - | - |
| p [cm-3] | - | fino a 1018 | - |
| p [cm-3] | 10-3 - 10-2 | 102 - 103 | 109 - 1012 |
| ¼ di Î [cm2 di /Vs] | fino a 150 | - | - |
| Variazione totale (TTV)/µm di spessore | <40> | <40> | <40> |
| Bow/µm | <10> | <10> | <10> |
| FWHM [minuto secondo] della curva d'oscillazione dei raggi x, superficie epi-pronta, ad un ¼ m. x di 100 Î fessura del ¼ m. di 100 Î | <20> | ||
| Densità di dislocazione [cm-2] | <10>5 | ||
| Misorientation/grado | A richiesta | ||
| Finitura superficia | Come tagliato/frantumato Lucidato approssimativamente Otticamente lucidato (RMS < 3="" nm=""> Epi-pronto (RMS < 0=""> | ||
Vantaggi di questa specificazione
| Più piccola curvatura | Meno dislocazioni | Trasportatori più elettrotecnici | |
| Laser | Più grandi rendimenti | Abbassi la tensione della soglia | Più alto potere |
| LED | Migliore efficienza (IQE) | ||
| Transistor | Abbassi la corrente di perdita | Più alto po | |
Applicazione:
GaN può essere utilizzato in molte aree quali l'esposizione di LED, la rilevazione ad alta energia e la rappresentazione,
Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.
- I dispositivi ad alta frequenza rilevazione ad alta energia di a microonde ed immaginano
- Nuova rilevazione dell'ambiente di tecnologia dell'idrogeno di solor di energia e medicina biologica
- Banda del terahertz di sorgente luminosa
- Visualizzazione della proiezione del laser, dispositivo di potere, memoria della data ecc.
- Esposizione di ottimo rendimento di fla di colore pieno di illuminazione
- Apparecchi elettronici alti- di efficienza del laser Projecttions
I NOSTRI PRODOTTI RELATIVI
La nostra visione di impresa di Factroy
forniremo il substrato di GaN di alta qualità e la tecnologia dell'applicazione per l'industria la nostra fabbrica.
L'alta qualità GaNmaterial è il fattore di repressione per l'applicazione dei III-nitruri, per esempio lunga vita
ed alta stabilità LDs, alto potere ed alti dispositivi di a microonde di affidabilità, alta luminosità
ed alta efficienza, LED economizzatore d'energia.
- FAQ –
Q: Che cosa è il MOQ?
(1) per l'inventario, il MOQ è 2pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-10pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche.
Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire i rapporti di rapporto e di portata di ROHS per i nostri prodotti.
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, TNT, UPS, lo SME, SF ed ecc.
(2) se avete vostro proprio numero preciso, è grande.
Se non, potremmo assistervi per consegnare. Freight=USD25.0 (il primo peso) + USD12.0/kg
Q: Che cosa è il termine di consegna?
(1) per i prodotti standard quale il wafer di 2inch 0.33mm.
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 4 settimane lavorative dopo ordine.
Q: Come pagare?
100%T/T, Paypal, unione ad ovest, MoneyGram, pagamento sicuro ed assicurazione di commercio.